三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

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据电子时报报道，为了克服低迷的存储器市场状况，三星电子计划停止其位于韩国平泽市P1工厂的部分NAND闪存生产设备。

据ZDNet Korea报道，业内人士透露，三星目前正在考虑停止P1工厂NAND Flash生产线部分设备的生产。该生产区主要负责生产128层堆叠的第6代V-NAND。据悉，该设备将停产至少一个月，但可能会延长至2023年下半年。

目前，三星已经减少了主要NAND Flash生产基地的晶圆投入，包括韩国平泽、华城以及中国西安。业界猜测三星的NAND Flash产量可能会减少10%左右。不过，鉴于市场持续低迷，三星在4月份发布的2023年Q1财报中正式宣布存储器减产计划。此外，三星在发布第Q2财报时表示，2023年下半年将重点削减NAND Flash领域的产量。

值得注意的是，第6代128层V-NAND系列工艺相对成熟，成为减产目标。目前，三星的主要销售来自第7代和第8代V-NAND产品，分别为176层和236层。

值得注意的是，半导体公司通常采用在减产期间保持设备运行而不生产晶圆的方法。这主要是因为如果设备完全关闭，重新启动期间重新建立工艺、达到产量需要额外的时间和金钱投资。不过，三星正在考虑停止设备运转，不仅是为了增强减产效果，也是为了削减成本。

据报道，包括半导体在内的三星设备解决方案（DS）部门仅在2023年上半年就累计亏损8.94万亿韩元（约合67.2亿美元）。因此，“降低成本”成为三星存储业务目标管理（MBO）目标的重点之一。

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